概述
投影光刻機(jī)（Projection Lithography System）是利用光學(xué)投影方式將掩模（mask）上圖案成像并縮小投影到基片（晶圓或玻璃板）上的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、光電子器件等領(lǐng)域。
核心工作原理
掩模圖案設(shè)計(jì)：將所需電路或結(jié)構(gòu)圖形繪制在高質(zhì)量石英掩模上，掩模圖案通常比光刻圖形“正片”或“負(fù)片”放大若干倍，以減小投影誤差。
光學(xué)投影：由紫外光源（i?line 365?nm、h?line 405?nm 或深紫外 DUV 248?nm、193?nm）照射經(jīng)過準(zhǔn)直的掩模，經(jīng)過投影鏡頭（Reduction Lens）將掩模圖案按比例（常見 4×、5×、10×）縮小并聚焦到基片表面。
機(jī)械與對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)：高精度 XY 平臺(tái)與 Z 軸對(duì)焦系統(tǒng)，結(jié)合機(jī)器視覺對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，可實(shí)現(xiàn)多層圖案的納米級(jí)定位疊加（overlay accuracy <?10?nm）。
曝光控制：通過調(diào)節(jié)光強(qiáng)、光斑均勻性、曝光時(shí)間等參數(shù)，優(yōu)化線寬控制（CD uniformity）和曝光劑量，使圖形邊緣清晰、均勻性高。
主要組成部分
光源系統(tǒng)：關(guān)鍵在于紫外光源的光譜、功率與穩(wěn)定性?，F(xiàn)代高端投影光刻機(jī)常用氟化氙（ArF）193?nm 激光器或極紫外（EUV）13.5?nm 光源。
掩模臺(tái)與對(duì)準(zhǔn)儀：精密掩模臺(tái)帶有多自由度微調(diào)機(jī)構(gòu)，對(duì)準(zhǔn)儀采用暗場(chǎng)或相差成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度的掩模邊緣檢測(cè)。
投影鏡頭：世界頂級(jí)投影鏡頭具有超高數(shù)值孔徑（NA > 0.7）、高度校正的色差和像差抑制能力，是決定分辨率的核心部件。
基片臺(tái)：采用空氣懸浮或磁懸浮平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)靜態(tài)與動(dòng)態(tài)位置控制，并具備實(shí)時(shí)干涉儀或激光測(cè)距反饋。
聚焦與掃描系統(tǒng)：對(duì)于大尺寸晶圓，采用場(chǎng)掃描（scan field）與步進(jìn)（step-and-repeat）結(jié)合的方式，通過同步移動(dòng)掩模和基片臺(tái)進(jìn)行條帶式曝光，再由軟件拼接生成整片圖形。
關(guān)鍵性能參數(shù)
分辨率（Resolution）：由經(jīng)典衍射公式 0.61?λ/NA 決定，波長(zhǎng) λ 越短、NA 越大，最小可刻線寬越細(xì)。
數(shù)值孔徑（NA）：高 NA 能提高分辨率，但會(huì)減小深度焦差（DOF），對(duì)對(duì)焦性能提出更高要求。
曝光劑量（Dose）：曝光能量單位為 mJ/cm2，需根據(jù)光刻膠特性和圖形密度優(yōu)化，以保證顯影后線寬準(zhǔn)確。
對(duì)準(zhǔn)精度（Overlay）：多層圖形疊加的定位誤差，先進(jìn)設(shè)備可控制在 ±5?nm 以下。
曝光均勻性（CD Uniformity）：整個(gè)晶圓或曝光場(chǎng)內(nèi)線寬一致性，通常控制在 ±1–2% 范圍。
應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體集成電路：制造晶體管柵極、互連線和邏輯單元，是 7?nm、5?nm 及更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的核心設(shè)備。
MEMS 器件：微加速計(jì)、微陀螺等 MEMS 結(jié)構(gòu)的細(xì)微圖形刻蝕。
微流控芯片：生物分析、化學(xué)合成用微通道網(wǎng)絡(luò)的制作。
光電子器件：光波導(dǎo)、光柵、微透鏡陣列等高精度光學(xué)結(jié)構(gòu)。
優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
優(yōu)勢(shì)
高分辨率和高良率：非接觸投影減少掩模與基片損傷；
支持大批量生產(chǎn)：步進(jìn)掃描結(jié)合提高產(chǎn)能；
軟件與硬件深度集成：實(shí)時(shí)校正畸變、缺陷檢測(cè)與在線優(yōu)化。
挑戰(zhàn)
設(shè)備成本高：尤其是 E?beam 曝光與 EUV 系統(tǒng)，動(dòng)輒數(shù)億美元；
工藝復(fù)雜：多重圖案化（multi?patterning）和浸沒式（immersion）技術(shù)增加流程難度；
物理極限：隨著線寬接近 1?nm 級(jí)，量子效應(yīng)和材料限制成為瓶頸。
發(fā)展趨勢(shì)
極紫外（EUV）光刻：13.5?nm 光源逐步量產(chǎn)，向 3?nm 及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)；
多重圖案化：雙重、四重或自對(duì)準(zhǔn)圖案化（SAQP）技術(shù)，以突破單次曝光分辨率；
機(jī)器學(xué)習(xí)與智能控制：實(shí)時(shí)缺陷識(shí)別、工藝參數(shù)自動(dòng)調(diào)整和預(yù)測(cè)性維護(hù)；
混合光刻方案：結(jié)合電子束光刻、納米壓印等技術(shù)，滿足不同應(yīng)用的靈活需求。
總結(jié)
投影光刻機(jī)作為現(xiàn)代微納米加工的基石，不僅承載了半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，也推動(dòng)了 MEMS、生物芯片和光電子器件的發(fā)展。
