光刻機的光源是其核心組件之一，直接影響光刻過程的分辨率和成像質(zhì)量?，F(xiàn)代光刻機主要采用激光光源、汞燈以及更先進的極紫外光（EUV）等。

首先，激光光源具有高亮度和良好的單色性，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的圖形轉(zhuǎn)移。其波長通常在193納米（nm）至248納米之間，這些波長適合于深紫外光（DUV）光刻技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造。DUV光刻通過掩模將圖形轉(zhuǎn)移至硅片上，依賴于光的干涉和衍射效應(yīng)，波長越短，分辨率越高。

其次，汞燈是早期光刻機中常用的光源，雖然其成本較低，但其光譜寬廣，難以精確控制。隨著技術(shù)的發(fā)展，汞燈逐漸被更高效的光源替代。

近年來，極紫外光（EUV）光刻技術(shù)成為了業(yè)界的新寵。EUV光源的波長為13.5納米，能夠大幅度提升分辨率，適用于制造5nm及更小工藝節(jié)點的芯片。EUV光刻機使用高能量的激光打擊錫等氣體，產(chǎn)生等離子體，進而發(fā)出EUV光。這一技術(shù)的挑戰(zhàn)在于光源的穩(wěn)定性和系統(tǒng)的復(fù)雜性，但它提供了極為精細的圖形轉(zhuǎn)移能力。

光刻過程中，光的傳播和干涉特性也是關(guān)鍵因素。光通過光學(xué)系統(tǒng)，包括透鏡和鏡子，形成所需的圖像。多層膜光學(xué)系統(tǒng)能有效控制光的傳播，提高成像質(zhì)量。

總之，光刻機的光源技術(shù)是推動半導(dǎo)體制造技術(shù)進步的重要動力。未來，隨著材料科學(xué)和光學(xué)技術(shù)的發(fā)展，光刻機的光源將繼續(xù)演進，以滿足日益增長的集成電路制造需求。